IRFH5210TRPBF

1.පහළ සන්නායක පාඩු
2. වඩා හොඳ තාප විසර්ජනය සක්රීය කරයි
3.විශ්වසනීයත්වය වැඩි වීම
4.බල ඝනත්වය වැඩි වීම
5.Multi-Vendor ගැළපුම
6.Easier Manufacturing
7.පරිසර හිතකාමී
8.විශ්වසනීයත්වය වැඩි වීම

නිෂ්පාදකයාගේ කොටස අංකය:IRFH9310TRPBF
නිෂ්පාදකයා / සන්නාම ජාත්‍යන්තර සෘජුකාරක (Infineon Technologies)
විස්තරයේ කොටස:MOSFET P-CH 30V 21A PQFN
ඊයම් නිදහස් තත්ත්වය / RoHS තත්ත්වය: Lead free / RoHS අනුකූල වේ
කොටස් තත්ත්වය: නව මුල්, 12000 pcs කොටස් තිබේ.
නැව්ගත කරන්න: හොංකොං
නැව්ගත කිරීමේ මාර්ගය:DHL/Fedex/TNT/UPS
නිෂ්පාදන ගුණාංග ගුණාංග අගය තෝරන්න ගුණාංගය
කොටස අංකය IRFH9310TRPBF
නිෂ්පාදකයා / සන්නාම ජාත්‍යන්තර සෘජුකාරක (Infineon Technologies)
කොටස් ප්‍රමාණය 12000 pcs තොගය
ප්‍රවර්ගය විවික්ත අර්ධ සන්නායක නිෂ්පාදන > ට්‍රාන්සිස්ටර - FETs, MOSFETs - තනි
විස්තරය MOSFET P-CH 30V 21A PQFN
Lead Free Status / RoHS තත්ත්වය: Lead free / RoHS අනුකූල
පළල - ඇතුළත -55°C ~ 150°C (TJ)
වෝල්ටීයතාව/ධාරා - ප්‍රතිදානය 1 PQFN (5x6)
ඉවසීම 5250pF @ 15V
වලිගය වර්ගය P-නාලිකාව
පියවර කෝණය MOSFET (ලෝහ ඔක්සයිඩ්)
හැකිලීම උෂ්ණත්වය Infineon තාක්ෂණය
SFP/XFP වර්ගය ±20V
දුරස්ථ හැකියාව HEXFET®
Pitch - කේබල් මතුපිට සවි කිරීම
වෙනත් නම් Lead free / RoHS අනුකූල වේ
වෙනත් නම් 1
Oscillator Type 8-PowerVDFN
DAC හි 30V ගණන
අවම ද්‍රව විශේෂ ගුරුත්වාකර්ෂණය -
සංසර්ග දිශානතිය 4.6 mOhm @ 21A, 10V
නිෂ්පාදකයාගේ කොටස අංකය IRFH9310TRPBFDKR-ND
දිග - බැරල් Digi-Reel®
ලාම්පු වර්ණය 4.5V, 10V
ඉහළ පැති වෝල්ටීයතාවය - උපරිම (බූට්ස්ට්‍රැප්) 21A (Ta), 40A (Tc)
කාර්යය 58nC @ 4.5V
දඟර බලය ක්රියාකාරී
නාලිකා ධාරිතාව (CS(off), CD(off)) 3.1W (Ta)
කාඩ් රීඩර් වර්ගය 2.4V @ 100µA
විශේෂාංග සහ ප්රතිලාභ
විශේෂාංග ප්රතිඵල ප්රතිලාභ
අඩු RDSon (≤ 4.6mΩ) අඩු සන්නායක පාඩු
කර්මාන්ත-සම්මත PQFN පැකේජය බහු විකුණුම්කරුගේ අනුකූලතාව
RoHS අනුකූල ඊයම්, බ්‍රෝමයිඩ් සහ හැලජන් නොමැති පරිසර හිතකාමී
ප්රතිඵල
සටහන
ආකෘති ප්රමාණය
IRFH9310TRPBF PQFN 5mm x 6mm ටේප් සහ රීල් 4000
ඇණවුම් කළ හැකි කොටස් අංක පැකේජ වර්ගය සම්මත ඇසුරුම
VDS -30 V
RDS(on) උපරිම
(@VGS = 10V) 4.6 mΩ
Qg (සාමාන්‍ය) 110 nC
RG (සාමාන්‍ය) 2.8 Ω
ID
(@TA = 25°C) -21 A
නිරපේක්ෂ උපරිම ශ්රේණිගත කිරීම්
පරාමිති ඒකක
VDS Drain-to-source Voltage
VGS ද්වාරයෙන් මූලාශ්‍ර වෝල්ටීයතාවය
ID @ TA = 25°C අඛණ්ඩ කාණු ධාරාව, ​​VGS @ -10V
ID @ TA = 70°C අඛණ්ඩ කාණු ධාරාව, ​​VGS @ -10V
ID @ TC = 25°C අඛණ්ඩ කාණු ධාරාව, ​​VGS @ -10V (Silicon Limited)
ID @ TC = 70°C අඛණ්ඩ කාණු ධාරාව, ​​VGS @ -10V (Silicon Limited)
ID @ TC = 25°C අඛණ්ඩ කාණු ධාරාව, ​​VGS @ -10V (සීමිත පැකේජය)
IDM ස්පන්දිත කාණු ධාරාව
PD @TA = 25°C බල විසර්ජනය
PD @ TA = 70°C බලශක්ති විසර්ජනය
රේඛීය විරේක සාධකය W/°C
TJ මෙහෙයුම් හන්දිය සහ
TSTG ගබඩා උෂ්ණත්ව පරාසය
පුනරාවර්තන ශ්රේණිගත කිරීම;ස්පන්දන පළල උපරිමයෙන් සීමා වේ.සන්ධි උෂ්ණත්වය.
TJ = 25 ° C, L = 1.1mH, RG = 50Ω, IAS = -17A ආරම්භ කිරීම.
ස්පන්දන පළල ≤ 400µs;රාජකාරි චක්රය ≤ 2%.
අඟල් 1ක හතරැස් තඹ පුවරුවක සවිකළ විට.
Rθ මනිනු ලබන්නේ TJ හි ආසන්න වශයෙන් 90 ° C වේ.
නිෂ්පාදන පරීක්ෂණයට යටත් නොවන, නිර්මාණ ආධාර සඳහා පමණි.